標題: 場效電晶體結構
作者: 張俊彥
公開日期: 1-十一月-2017
摘要: 一種場效電晶體結構,包括:基底、內部閘極、絕緣層、半導體帶、閘介電絕緣結構以及閘導體結構。內部閘極包括位於基底上的層狀部以及自層狀部延伸的牆部。絕緣層位於內部閘極的層狀部上。半導體帶位於牆部與部分絕緣層上,其中半導體帶包括源極/汲極區以及與源極/汲極區相鄰的通道區。閘介電絕緣結構位於通道區上。閘導體結構位於閘介電絕緣結構上。
官方說明文件#: H01L029/10
H01L029/66
H01L029/78
H01L027/105
URI: http://hdl.handle.net/11536/151402
專利國: TWN
專利號碼: 201739048
顯示於類別:專利資料


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