標題: | 場效電晶體結構 |
作者: | 張俊彥 |
公開日期: | 1-十一月-2017 |
摘要: | 一種場效電晶體結構,包括:基底、內部閘極、絕緣層、半導體帶、閘介電絕緣結構以及閘導體結構。內部閘極包括位於基底上的層狀部以及自層狀部延伸的牆部。絕緣層位於內部閘極的層狀部上。半導體帶位於牆部與部分絕緣層上,其中半導體帶包括源極/汲極區以及與源極/汲極區相鄰的通道區。閘介電絕緣結構位於通道區上。閘導體結構位於閘介電絕緣結構上。 |
官方說明文件#: | H01L029/10 H01L029/66 H01L029/78 H01L027/105 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/151402 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201739048 |
顯示於類別: | 專利資料 |