標題: 半導體氣體感測裝置的製作方法及其半導體氣體感測裝置
作者: 邱俊誠
蔡尚瑋
公開日期: 16-三月-2018
摘要: 一種半導體氣體感測裝置的製作方法,包含半成品準備步驟、氣體感測槽形成步驟,及感測膜形成步驟。半成品準備步驟是準備氣體感測半成品,包括具有第一面與第二面的基板、分別形成在第一面的迴授電路單元,及加熱感測單元,加熱感測單元具有由第一面依序設置第一絕緣層、感測電極、第二絕緣層、微加熱器,及第三絕緣層。氣體感測槽形成步驟從第二面蝕刻基板至第一絕緣層,讓感測電極露出,形成與該微加熱器反向的氣體感測槽。感測膜形成步驟形成覆蓋感測電極的感測膜。本發明還提供以前述方法製成的半導體氣體感測裝置。
官方說明文件#: B81C001/00
B81B007/02
G01N027/16
URI: http://hdl.handle.net/11536/151459
專利國: TWN
專利號碼: 201808785
顯示於類別:專利資料


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