標題: | 半導體氣體感測裝置的製作方法及其半導體氣體感測裝置 |
作者: | 邱俊誠 蔡尚瑋 |
公開日期: | 16-三月-2018 |
摘要: | 一種半導體氣體感測裝置的製作方法,包含半成品準備步驟、氣體感測槽形成步驟,及感測膜形成步驟。半成品準備步驟是準備氣體感測半成品,包括具有第一面與第二面的基板、分別形成在第一面的迴授電路單元,及加熱感測單元,加熱感測單元具有由第一面依序設置第一絕緣層、感測電極、第二絕緣層、微加熱器,及第三絕緣層。氣體感測槽形成步驟從第二面蝕刻基板至第一絕緣層,讓感測電極露出,形成與該微加熱器反向的氣體感測槽。感測膜形成步驟形成覆蓋感測電極的感測膜。本發明還提供以前述方法製成的半導體氣體感測裝置。 |
官方說明文件#: | B81C001/00 B81B007/02 G01N027/16 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/151459 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201808785 |
顯示於類別: | 專利資料 |