標題: 半導体装置及びその製造方法
作者: 張 翼
劉 世謙
▲黄▼ 崇▲カイ▼
▲呉▼ 佳勳
韓 秉承
林 岳欽
謝 廷恩
公開日期: 21-Jun-2018
摘要: 【課題】閾値を6Vよりも大きくし、誤起動の発生を効果的に避ける半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、基材110と、チャネル層120と、バリア層130と、溝と、電荷トラップ層220と、強誘電体材料230と、ゲート250と、ソースSと、ドレインDと、を含む。チャネル層120は、基材110に配置される。バリア層130は、チャネル層120に配置される。バリア層130は溝を有し、且つ、溝の下方のバリア層130は、厚さを有する。ドレインDとソースSは、バリア層130に配置される。電荷トラップ層220は、溝の底面を覆う。強誘電体材料230は、電荷トラップ層220に配置される。ゲート250は、強誘電体材料230に設けられる。【選択図】図4A
官方說明文件#: H01L021/338
H01L029/778
H01L029/812
H01L021/336
H01L029/78
H01L021/8246
H01L027/105
H01L029/788
H01L029/792
H01L021/28
H01L021/316
URI: http://hdl.handle.net/11536/151463
專利國: JPN
專利號碼: 2018098478
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