標題: | 製造半導體裝置的方法 |
作者: | 簡昭欣 徐崇浚 季維均 劉繼文 |
公開日期: | 1-Jul-2018 |
摘要: | 一種製造半導體裝置的方法,包含下列步驟。在半導體基板上形成第一金屬層,並在第一金屬層上形成第二金屬層。第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射於半導體基板、第一金屬層和第二金屬層,以形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導體基板的成分的合金。 |
官方說明文件#: | H01L021/24 H01L021/285 |
URI: | http://hdl.handle.net/11536/151475 |
專利國: | TWN |
專利號碼: | 201824362 |
Appears in Collections: | Patents |
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