完整後設資料紀錄
| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 簡昭欣 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 徐崇浚 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 季維均 | zh_TW |
| dc.contributor.author | 劉繼文 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2019-04-11T06:20:30Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-11T06:20:30Z | - |
| dc.date.issued | 2018-07-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/24 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L021/285 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/151475 | - |
| dc.description.abstract | 一種製造半導體裝置的方法，包含下列步驟。在半導體基板上形成第一金屬層，並在第一金屬層上形成第二金屬層。第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射於半導體基板、第一金屬層和第二金屬層，以形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導體基板的成分的合金。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 製造半導體裝置的方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | en_US |
| dc.citation.patentnumber | 201824362 | en_US |
| 顯示於類別： | 專利資料 | |
