標題: 製造半導體裝置的方法
作者: 簡昭欣
徐崇浚
季維均
劉繼文
公開日期: 1-七月-2018
摘要: 一種製造半導體裝置的方法,包含下列步驟。在半導體基板上形成第一金屬層,並在第一金屬層上形成第二金屬層。第二金屬層由與第一金屬層不同的金屬形成。施加微波輻射於半導體基板、第一金屬層和第二金屬層,以形成包含第一金屬層、第二金屬層和半導體基板的成分的合金。
官方說明文件#: H01L021/24
H01L021/285
URI: http://hdl.handle.net/11536/151475
專利國: TWN
專利號碼: 201824362
顯示於類別:專利資料


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