半導體裝置及其製造方法

Abstract

一種半導體裝置，包含：基材、通道層、阻障層、凹槽、電荷陷阱層、鐵電材料、閘極、源極和汲極。通道層配置於基材上；阻障層配置於通道層上，阻障層具有凹槽，且凹槽下方之阻障層具有一厚度；汲極和源極配置於阻障層上；電荷陷阱層覆蓋凹槽的底面；鐵電材料配置於電荷陷阱層上；以及閘極配置於鐵電材料上。