| 標題: | 半導體裝置及其製造方法 |
| 作者: | 張翼 劉世謙 黃崇愷 吳佳勳 韓秉承 林岳欽 謝廷恩 |
| 公開日期: | 1-七月-2018 |
| 摘要: | 一種半導體裝置，包含：基材、通道層、阻障層、凹槽、電荷陷阱層、鐵電材料、閘極、源極和汲極。通道層配置於基材上；阻障層配置於通道層上，阻障層具有凹槽，且凹槽下方之阻障層具有一厚度；汲極和源極配置於阻障層上；電荷陷阱層覆蓋凹槽的底面；鐵電材料配置於電荷陷阱層上；以及閘極配置於鐵電材料上。 |
| 官方說明文件#: | H01L029/12 H01L029/06 H01L029/772 H01L021/8252 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/151477 |
| 專利國: | TWN |
| 專利號碼: | 201824542 |
| 顯示於類別： | 專利資料 |
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