AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體(HEMTs)直流電性測試

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	陳建中	en_US
dc.contributor.author	張翼	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T01:12:56Z	-
dc.date.available	2014-12-12T01:12:56Z	-
dc.date.issued	2008	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009475526	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/37893	-
dc.description.abstract	氮化鎵高電子遷移率電晶體在高溫、高頻及高功率工作環境下的優秀表現使其得以應用於軍用雷達系統、個人行動電話與基地台等用途上，又元件於直流偏壓狀況下的性能衰退將直接影響其在高頻與高功率工作環境下的表現，為此，建立其直流測試之可靠度日趨重要，本研究將分別對未具「Field-Plate」（樣本-1）及具有「Field-Plate」（樣本-2與樣本-3）的氮化鎵功率元件於室溫下進行連續直流測試，先執行樣本-1及樣本-2之12小時直流測試後，發現閘極具有「Field-Plate」的元件仍能保有優於未具「Field-Plate」元件控制通道電流之能力，但是也因為AlGaN層受到過蝕刻影響所產生的損傷，導致其通道電流在12小時內就衰減約8％，最後我們測試樣本-3，它具備了優於樣本-2的閘極「Field-Plate」結構，使其在長達100小時的連續直流偏壓測試後，仍能保有測試前所具備的元件基本性能，故確認樣本-3擁有最佳化之「Field-Plate」結構與元件可靠度。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	氮化鎵	zh_TW
dc.subject	高電子遷移率電晶體	zh_TW
dc.subject	可靠度	zh_TW
dc.subject	二維電子氣	zh_TW
dc.subject	負載線	zh_TW
dc.subject	過蝕刻	zh_TW
dc.subject	GaN	en_US
dc.subject	HEMTs	en_US
dc.subject	reliability	en_US
dc.subject	two-dimensional electron gas	en_US
dc.subject	load-line	en_US
dc.subject	over etching	en_US
dc.subject	field-plate	en_US
dc.title	AlGaN/GaN高電子遷移率電晶體(HEMTs)直流電性測試	zh_TW
dc.title	The DC Test of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	工學院半導體材料與製程設備學程	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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