微影及蝕刻製程之關鍵尺寸控制

Abstract

本論文所研究的方向利用最小平方法分別針對微影機台輸入與顯影後輸出關係建立線性模型，透過EWMA控制器即時更新模型的參數，以求得下一批次最佳的微影輸入參數，接著同樣利用最小平方建立一個蝕刻製程的線性模型，以顯影後關鍵尺寸的誤差來計算蝕刻製程所需補償的關鍵尺寸偏差值（CD Bias），再利用蝕刻時間做為製程參數，以Double EWMA控制器來即時調變模型參數，以求得下一批次最佳製程輸入。由模擬結果可發現利用本研究的控制方法，可比沒有控制的結果改進了48.8％，且與相關文獻比較，不論是微影製程或是蝕刻製程均有明顯的改進。