以感應耦合式電漿系統成長之超薄氮氧化矽薄膜的電特性與可靠度研究

Abstract

當互補式金氧半場效電晶體的閘極通道長度微縮到90奈米以下時，閘極介電層的有效電性厚度將縮小至1.5奈米以下，但是達此超薄厚度之二氧化矽絕緣膜其直接穿遂電流將大到無可忍受的程度，另外，隨著製程熱預算的降低，低溫氧化製程技術的必要性也隨之增加。在本論文中，我們首次提出在300 ℃的低溫環境下，使用感應耦合式 (ICP) N2O電漿氧化成長1 nm超薄氮氧化矽 (oxynitride) 薄膜，藉由改變電漿功率和處理時間以獲得最佳的製程條件，又以不同氮氣與氧氣組成比例的電漿來成長氮氧化矽薄膜並與氧氣電漿形成的二氧化矽薄膜作比較。接著，我們更進一步的發展感應耦合式氮氣電漿氮化處理的方法以改善原先形成的氮氧化矽之電特性與可靠度，對氮化處理的製程時間和氣體組成探討以找出最佳的氮化條件，最後證實，感應耦合式電漿系統在300 ℃的低溫環境下，以200瓦的感應耦合式N2O電漿處理1分鐘後形成的氮氧化矽薄膜有最佳的電性與可靠度，而且再加以200瓦的感應耦合式氮氣電漿氮化處理後，可得到進一步的改善。1.0 nm的氮氧化矽薄膜有1.8 µF/cm2的高電容值，與在-1 V電壓操作下漏電僅0.1 A/cm2的特性，此閘極介電薄膜將可應用在下世代高性能的65奈米互補式金氧半導體電晶體元件中。