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dc.contributor.author鍾謦合en_US
dc.contributor.author孟心飛en_US
dc.contributor.author冉曉雯en_US
dc.contributor.author宋震國en_US
dc.contributor.authorMeng, Hsin-Feien_US
dc.contributor.authorZan, Hsiao-Wenen_US
dc.contributor.authorSung, Cheng-Kuoen_US
dc.date.accessioned2015-11-26T01:08:00Z-
dc.date.available2015-11-26T01:08:00Z-
dc.date.issued2011en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079827501en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/47688-
dc.description.abstract有機電子元件在近年來吸引許多學者專家的研究興趣，為了能夠實現低成本的技術，在大氣環境下使用簡易的溶液製程是值得去努力的。我們利用具有空氣穩定性的高分子材料PQT-12製作空間電荷限制電晶體。由於PQT-12較高的最高已佔據分子軌域，我們使用較高功函的MoO3/Al作為射極，改善載子注入的同時也維持良好的電晶體特性。操作電壓0.6 V，電流開關比4×104，開關擺幅105 mV/decade。除了不同注入電極，我們也分析孔洞通道直徑與絕緣層厚度對元件的影響。最後，以負載式反相器展現PQT-12空間電荷限制電晶體應用在低功率消耗電路的可行性。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject共軛高分子zh_TW
dc.subject垂直式電晶體zh_TW
dc.subjectconjugated polymeren_US
dc.subjectvertical transistoren_US
dc.title具空氣穩定性之共軛高分子垂直式電晶體zh_TW
dc.titleHigh-performance vertical transistor based on air-stable conjugated polymeren_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department物理研究所zh_TW
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