具空氣穩定性之共軛高分子垂直式電晶體

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	鍾謦合	en_US
dc.contributor.author	孟心飛	en_US
dc.contributor.author	冉曉雯	en_US
dc.contributor.author	宋震國	en_US
dc.contributor.author	Meng, Hsin-Fei	en_US
dc.contributor.author	Zan, Hsiao-Wen	en_US
dc.contributor.author	Sung, Cheng-Kuo	en_US
dc.date.accessioned	2015-11-26T01:08:00Z	-
dc.date.available	2015-11-26T01:08:00Z	-
dc.date.issued	2011	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079827501	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/47688	-
dc.description.abstract	有機電子元件在近年來吸引許多學者專家的研究興趣，為了能夠實現低成本的技術，在大氣環境下使用簡易的溶液製程是值得去努力的。我們利用具有空氣穩定性的高分子材料PQT-12製作空間電荷限制電晶體。由於PQT-12較高的最高已佔據分子軌域，我們使用較高功函的MoO3/Al作為射極，改善載子注入的同時也維持良好的電晶體特性。操作電壓0.6 V，電流開關比4×104，開關擺幅105 mV/decade。除了不同注入電極，我們也分析孔洞通道直徑與絕緣層厚度對元件的影響。最後，以負載式反相器展現PQT-12空間電荷限制電晶體應用在低功率消耗電路的可行性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	共軛高分子	zh_TW
dc.subject	垂直式電晶體	zh_TW
dc.subject	conjugated polymer	en_US
dc.subject	vertical transistor	en_US
dc.title	具空氣穩定性之共軛高分子垂直式電晶體	zh_TW
dc.title	High-performance vertical transistor based on air-stable conjugated polymer	en_US
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	物理研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文

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