應用在離子植入的離子分佈模擬器

Abstract

由於製程的技術隨著莫爾定律演進，使得 降低各種序所造成變異由於製程的技術隨著莫爾定律演進，使得 降低各種序所造成變異由於製程的技術隨著莫爾定律演進，使得 降低各種序所造成變異由於製程的技術隨著莫爾定律演進，使得 降低各種序所造成變異相當重要。進階程序控制系統這套利用各種不同參數達到降低變異的效 相當重要。進階程序控制系統這套利用各種不同參數達到降低變異的效 相當重要。進階程序控制系統這套利用各種不同參數達到降低變異的效 相當重要。進階程序控制系統這套利用各種不同參數達到降低變異的效 果。 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 但是，這套系統卻在嵌入矽的過程中遇到了問題現象提高晶圓變異 也影響到重疊電容以及閾值壓。 SuperScan 這套軟體以及其所創造出晶圓上的離子濃度分布圖就是為了解 決這項問題所被發展出的 延伸 軟體 。而這套軟體可以很明顯的降低重疊電容及 。而這套軟體可以很明顯的降低重疊電容及 。而這套軟體可以很明顯的降低重疊電容及 閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出閾值電壓上所有的 變異。因此，我們演算法嘗試著去模擬這套軟體提供出結果並且期望在未來發展出更多延伸系統。 結果並且期望在未來發展出更多延伸系統。 而我們會和 而我們會和 SuperScan 所產生的結果 進行比較，藉此證明我們所提供的演算法模擬方式。

As the technology of CMOS semiconductor shrinking due to Moore’s Law, minimizing process variations becomes important to manufacturing. In order to reduce the process variations from different processes, Advanced Process Control(APC) was developed to control several parameters to compensate for the variations. However, the APC is encountering a problem in the embedded SiGe process, the process would raise across-wafer radial variation on the PFET overlap capacitance (Cov) and threshold voltage (Vth). The tool SuperScanTM was created to solve this issue through creating dose maps in implantation process, as an extension of PFET implantation. This technology can obviously reduce the across-wafer variation in Cov and Vth. Therefore, our methodology tries to simulate this advanced technology from implantation process, and then develop more functions in the future. We compare the results with SuperScanTM’s; prove that we can resemble this technology.