完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳明哲 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Ming-Zhe | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:01:30Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:01:30Z | - |
dc.date.issued | 1979 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430014 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51160 | - |
dc.description.abstract | 本文改良現有之雙極性荷控模型,並作成一簡單之計算機輔助設計程式。根據此設計 程式,只要測量產品或設計製作程序之片電阻及接面深度,就可預測及模擬高電壓變 極性功率電晶體之電氣特性。 除了模擬普通技術製造的雙極性電晶體外。還引入了雙射區和雙基區最新擴散技巧做 成的高電壓雙極性功率電晶體。計算機預測結果與測量數據頗為吻合。 本文程式雖粗略,但不失嚴密。事實上,此程式確實建立了程序設計師、元件設計師 、和電路設計師三者之間的雙向溝通。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 計算機 | zh_TW |
dc.subject | 輔助設計 | zh_TW |
dc.subject | 高電壓雙極性功率 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 計算機輔助設計高電壓雙極性功率電晶體 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |