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dc.contributor.author陳明哲en_US
dc.contributor.authorChen, Ming-Zheen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:01:30Z-
dc.date.available2014-12-12T02:01:30Z-
dc.date.issued1979en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430014en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51160-
dc.description.abstract本文改良現有之雙極性荷控模型,並作成一簡單之計算機輔助設計程式。根據此設計 程式,只要測量產品或設計製作程序之片電阻及接面深度,就可預測及模擬高電壓變 極性功率電晶體之電氣特性。 除了模擬普通技術製造的雙極性電晶體外。還引入了雙射區和雙基區最新擴散技巧做 成的高電壓雙極性功率電晶體。計算機預測結果與測量數據頗為吻合。 本文程式雖粗略,但不失嚴密。事實上,此程式確實建立了程序設計師、元件設計師 、和電路設計師三者之間的雙向溝通。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject計算機zh_TW
dc.subject輔助設計zh_TW
dc.subject高電壓雙極性功率zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title計算機輔助設計高電壓雙極性功率電晶體zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文