藍達電晶體及記億電路之計算機輔助設計

Abstract

本文第一部份採用并修正一個考慮短通道金氧半場效電晶體的源極，洩極和閘極之兩 度空間的基片空乏電荷分怖, 以此模型來模擬實驗室中所研製出的短通道金氧半場效 電晶體。在此模式中,閘電壓對移動率的變化亦加以考慮。 根據理論與實驗的比較, 發現實驗所研製出的飽合泄極電導大於由通道長度縮小效應所預測的結果。然而, 對 於臨界電壓的預測而言, 理論與實驗的比較結果尚稱吻合。 第二部份採用一個考慮次監界導通效應之長通道金氧半電晶體模型和約柏一摩爾雙極 性電晶體模型, 成功的模擬藍達電晶體在低功率時的特性。本文中所提出的藍達電晶 體有二種偏壓電路結構, 其中一個以電流源推動, 另一個以電阻來偏壓。 第三部份分析藍達電晶體之電阻偏壓結構所組成的記憶元件, 并提出其工作原理和設 計規劃準則。并期間此記憶元件之暫態反應分析, 清楚地了解此記憶元件的動態特性 。 #40002590 #40002590