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dc.contributor.author金重光en_US
dc.contributor.authorJin, Zhong-Guangen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.author吳重雨en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.contributor.authorWu, Zhong-Yuen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:11Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:11Z-
dc.date.issued1980en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430076en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51449-
dc.description.abstract本文第一部份採用并修正一個考慮短通道金氧半場效電晶體的源極，洩極和閘極之兩 度空間的基片空乏電荷分怖, 以此模型來模擬實驗室中所研製出的短通道金氧半場效 電晶體。在此模式中,閘電壓對移動率的變化亦加以考慮。 根據理論與實驗的比較, 發現實驗所研製出的飽合泄極電導大於由通道長度縮小效應所預測的結果。然而, 對 於臨界電壓的預測而言, 理論與實驗的比較結果尚稱吻合。 第二部份採用一個考慮次監界導通效應之長通道金氧半電晶體模型和約柏一摩爾雙極 性電晶體模型, 成功的模擬藍達電晶體在低功率時的特性。本文中所提出的藍達電晶 體有二種偏壓電路結構, 其中一個以電流源推動, 另一個以電阻來偏壓。 第三部份分析藍達電晶體之電阻偏壓結構所組成的記憶元件, 并提出其工作原理和設 計規劃準則。并期間此記憶元件之暫態反應分析, 清楚地了解此記憶元件的動態特性 。 #40002590 #40002590zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject藍達電晶體zh_TW
dc.subject記億電路zh_TW
dc.subject計算機zh_TW
dc.subject輔助設計zh_TW
dc.subject短通道金氧半場效zh_TW
dc.subject長通道金氧半電晶zh_TW
dc.subject電阻偏壓結耩zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title藍達電晶體及記億電路之計算機輔助設計zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別：畢業論文


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