短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之研究

Abstract

本文主要在探討閘極氧化層的厚度對短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之影響，其中 發現，若仍欲用電容的觀念來簡單的表示出臨界電壓，則表示式中之電容值必需以一 修正值取代，此一修正值可以用簡單的實驗方法來得。此外，本文並討論到暗鬥座加 上反相偏壓對此電容值的影響。