短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之研究

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DC 欄位	值	語言
dc.contributor.author	章賢亮	en_US
dc.contributor.author	Zhang, Xian-Liang	en_US
dc.contributor.author	余水陽	en_US
dc.contributor.author	Yu, Shui-Yang	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:01:32Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:01:32Z	-
dc.date.issued	1979	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT684430018	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/51164	-
dc.description.abstract	本文主要在探討閘極氧化層的厚度對短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之影響，其中發現，若仍欲用電容的觀念來簡單的表示出臨界電壓，則表示式中之電容值必需以一修正值取代，此一修正值可以用簡單的實驗方法來得。此外，本文並討論到暗鬥座加上反相偏壓對此電容值的影響。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	短通道	zh_TW
dc.subject	金氧半場效	zh_TW
dc.subject	電晶體	zh_TW
dc.subject	臨界電壓	zh_TW
dc.subject	電子工程	zh_TW
dc.subject	ELECTRONIC-ENGINEERING	en_US
dc.title	短通道金氧半場效電晶體臨界電壓之研究	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
顯示於類別：	畢業論文