標題: 具有低能量離子佈植之蕭基二極體的傳輸理論及實驗
Theory and experiments of the M-N P schottky barrier diode using low energy ion-implantation
作者: 張明鑒
Zhang, Ming-Jian
吳慶源
Wu, Qing-Yuan
電子研究所
關鍵字: 低能量離子;佈植;蕭基二極体;傳輸理論;實驗;影像力;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1980
摘要: 本文利用高斯分布模擬表面離子布植的雜質和考慮金屬一半尊體之間的表面性質, 發 展完成能障提高的解析模型。考慮影像力的效應, 本文可將最大能障及其精確位置的 公式導出。同時, 本文亦發展完成一套貝有表面離子布植蕭基二極體之電流及電壓的 傳輸理論, 其中包含多數載體電流, 少數載體電流, 空間電荷區間復合電流。利用此 套理論, 貝有表面離子布植之蕭基二極體的能障, 理想因素, 及逆向電流等重要特性 亦用理論導出, 經實驗結果和理論比較, 發現兩者極為吻合。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430022
http://hdl.handle.net/11536/51388
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