完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 莊偉雄 | en_US |
dc.contributor.author | Zhuang, Wei-Xiong | en_US |
dc.contributor.author | 郭雙發 | en_US |
dc.contributor.author | Guo, Shuang-Fa | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:06Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:06Z | - |
dc.date.issued | 1980 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430027 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51394 | - |
dc.description.abstract | 本論文的目的在研究磷在矽中之預積, 并建立一擴散模型, 依此撰寫一套程式, 用以 模擬及預估雜質濃度曲線。 實驗表里以POCl 為擴散源, 在含氧的環境中分別於不同的溫度下, 不同的時間內, 將磷預積於矽晶圓內。然后, 經過氧極氧化, 剝離氧化矽層, 片電阻值測試等重復程 序, 所得到的片電阻經過轉換后獲得雜質濃度曲線。 擴散模型的建立, 考慮到磷在矽中之擴散的雙重性, 即磷的擴散經由復電荷態矽空位 及間隙矽粒子雙重效應, 依此, 一組差分方程式: 包括粒子傳送方程式、連續方程式 、波義松方程式, 經適當地選擇邊界值之后, 利用電腦程式運算, 而準確地予以預估 與模擬。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 擴散源 | zh_TW |
dc.subject | 磷 | zh_TW |
dc.subject | 矽 | zh_TW |
dc.subject | 預置 | zh_TW |
dc.subject | 擴散模型 | zh_TW |
dc.subject | 雜質曲線 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | POCL | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 以Pocl 為擴散源,研究磷在矽中之預置 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |