使用BBr3磞於矽中的存積

Abstract

本文研究以三溴化硼當作存積於矽中之擴散源，并以實驗得出各種沒擴散溫度及時間 之存積層片電阻和接面深度，同時利用計算機以數值方法模擬實際的雜質分佈。我們 所採用的是一種“複電荷狀態空隙”的擴散模式，由比較模擬接面深度與實驗數據可 得出本質擴散率，經與他人之實驗值比較，發現其結果非常接近。存積層片電阻因氧 氣流量不同之變化可由改變“質量轉移係數”模擬之。