以Pocl 為擴散源,研究磷在矽中之預置

Abstract

本論文的目的在研究磷在矽中之預積, 并建立一擴散模型, 依此撰寫一套程式, 用以 模擬及預估雜質濃度曲線。 實驗表里以POCl 為擴散源, 在含氧的環境中分別於不同的溫度下, 不同的時間內, 將磷預積於矽晶圓內。然后, 經過氧極氧化, 剝離氧化矽層, 片電阻值測試等重復程 序, 所得到的片電阻經過轉換后獲得雜質濃度曲線。 擴散模型的建立, 考慮到磷在矽中之擴散的雙重性, 即磷的擴散經由復電荷態矽空位 及間隙矽粒子雙重效應, 依此, 一組差分方程式: 包括粒子傳送方程式、連續方程式 、波義松方程式, 經適當地選擇邊界值之后, 利用電腦程式運算, 而準確地予以預估 與模擬。