製造在複晶矽上之蕭基二極體及全絕半元件的研究

Abstract

本文利用大晶粒復晶矽作為基片, 研究蕭基二極體及金絕半二極體的電氣特性, 并且 利用離子布植法研制高效率的埋沒層金絕半太陽電池, 在本文的第一部分中復晶矽晶 片的表面處理技術對蕭基二極體特性的影響作深入的研究, 其中特性的研究包括順向 及逆向電流–電壓特性以及對溫度的變化, 根據這些特性, 我們可以深入了解復晶顆 介所占的角色, 并且提出復晶矽表面的處理方法, 在本文的第二部分中, 研制在復晶 矽上之金絕半二極體的電氣特性亦加以深入的研究。其中包括順向電流–電壓的理想 因素及多數載體的能障, 多數載體的能障高度, 理想因素及復晶顆介的變化及關連性 , 最后利用淺離子布植法研制埋沒層的金絕半太陽電池, 主題包括離子布植劑量對金 絕半太陽電池的效率, 開路電壓, 短路電流填充率的影響, 同時, 這些太陽電池效率 重要參數對溫度的變化亦加以研究, 初步研制結果大約在一個太陽下。本文所研制的 有效面積轉換率高達百分之十一, 根據初步結果, 大顆粒復晶矽對未來所需太陽電池 的應用具有很重大潛力。