標題: 使用BBr3磞於矽中的存積
作者: 陳偉雄
Chen, Wei-Xiong
郭雙發
Guo, Shuang-Fa
電子研究所
關鍵字: BBr3磞;矽;存積;三溴化磞;擴散源;複電荷狀態空隙;模擬接面;質量轉移係數;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1980
摘要: 本文研究以三溴化硼當作存積於矽中之擴散源,并以實驗得出各種沒擴散溫度及時間 之存積層片電阻和接面深度,同時利用計算機以數值方法模擬實際的雜質分佈。我們 所採用的是一種“複電荷狀態空隙”的擴散模式,由比較模擬接面深度與實驗數據可 得出本質擴散率,經與他人之實驗值比較,發現其結果非常接近。存積層片電阻因氧 氣流量不同之變化可由改變“質量轉移係數”模擬之。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430039
http://hdl.handle.net/11536/51407
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