雙極性電晶體的最佳退火及集聚程序

標題:	雙極性電晶體的最佳退火及集聚程序
作者:	陳傳書 Chen, Zhuan-Shu 吳慶源 Wu, Qing-Yuan 電子研究所
關鍵字:	雙極性電晶體;最佳退火;集聚程序;電子工程;ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期:	1980
摘要:	本文利用通化的傳輸理論，，耐接觸表面及內部載體的結合、能隙縮小及集極的高低接面等效應加以考慮，導出完整的約伯－摩爾模型，並證明當內部載體結合不能忽略時約伯－摩爾的倒數關係無法成立。根據導出的約伯－摩爾模型，雙極性電晶體的重要特性參數可以用製作程序控制的參數加以探討及研究。根據退火及集聚實驗的結果發現，在攝氏七百度乾氫氣中退火四至五小時可以有效地降低基集和射－基極間的反向飽和電流，並提高電流增益。並且，利用化學氣相堆積成長的氮化矽膜及熱成長氮化矽膜可以改善雙極性電晶體的特性。 #2811417 #2811417
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430040 http://hdl.handle.net/11536/51408
顯示於類別：	畢業論文