Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 金傳文 | en_US |
dc.contributor.author | Jin, Zhuan-Wen | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:11Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:11Z | - |
dc.date.issued | 1980 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT694430077 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51450 | - |
dc.description.abstract | 本文共由三部分組成。其中第一部分介紹熱成長氮化矽的成長動力模式。由此模式我 們可得到一些重要的反應特性參數,諸如線性成長速率、拋物線成長速率及擴散長度 等。根據此一模式,我們便輕易地預測及控制各種溫度下成長氮化矽膜的自限厚度, 進而廣泛地將氮化矽膜應用於元件及積體電路的製造上。 在第二部分中,我們研究氮化矽膜的氧化阻抗特性。基於同樣的觀念,我們導出氮化 矽的氧化阻抗模式。藉理論與實驗數據的比較,重要的反應參數可以求出,并藉此可 研究局部氧化技術中烏嘴的坡度特性。同時,我們亦定義氧化阻抗時間來表示氮化矽 膜的氧化阻抗能力,且證明氧化阻抗時間與原有的氮化矽膜厚度成正比的關系。 最後,本文亦研究氮化技術在金一絕一半交換元件上的應用,發現此種元件的保持電 壓與絕緣層厚度及品質有密切的關系。根據實驗,熱氮化膜可以廣泛地利用於金一絕 一半交換元件的製造上。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 熱成長氮化矽 | zh_TW |
dc.subject | 成長動力學 | zh_TW |
dc.subject | 氧化阻抗模式 | zh_TW |
dc.subject | 金-絕-半交換元件 | zh_TW |
dc.subject | 積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 氮化矽膜厚度 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 熱成長氮化矽的成長動力學氧化阻抗模式及其在金-絕-半交換元件上的運用 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |