複晶矽熱生長氧化層之成長輿傳導特性

Abstract

本文首先探討在不同摻雜濃度與不同氧化瘟度下複晶矽( 包括常壓化學氣相沉積複晶 矽與低壓化學氣相沉積複晶矽) 熱成長氧化層之成長特性,并與(100)方向之單晶矽熱 生長氧化層相比較。複晶矽熱生長之氧化層具有比單晶矽熱生長之氧化層較高之漏電 電流與較低之介電強度, 并顯現出電流隨時間快速遞減等特性。複晶矽氧化層之漏電 電流及介電強度與氧化溫度及氧化層厚度均具有密切關系, 但與複晶矽之摻雜濃度及 氧化後之熱處理無關。本文亦探討雙層複晶矽氧化層結構之電流遞減現象。結果發現 : 氧化溫度愈高,複矽氧化層之電流遞減速率愈快。當氧化層受到較強電場時, 電流 遞減速率亦較快,此一現象在濕氧成長之氧化層中更為顯著。