Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.author陳炳雄en_US
dc.contributor.authorChen, Bing-Xiongen_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.author楊宗哲en_US
dc.contributor.author潘犀靈en_US
dc.contributor.authorXie, Zheng-Xiongen_US
dc.contributor.authorYang, Zong-Zheen_US
dc.contributor.authorPan, Xi-Lingen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:33Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:33Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714123003en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51662-
dc.description.abstract磷酸二氫鉀單晶之晶格屬四方晶系,由於晶格具有特硃對稱型式,而且光電效應及非
線性光學賴以衡量劣之係數矩陣中的係數亦甚大,故在光電效應及非線性光學方面的
應用甚為廣泛。利用光電效應可做成光調變器,高速開關和固2光閥。利用非線性光
學中的倍頻現象可做成雷射倍頻器。
本文有鑑於此,乃從成長單晶著手,先取得材料。繼則由電光效應實驗中,測試其係
數矩陣中的係數,以與理論公認值比較驗證之。並由非線性光學理論中驗證倍頻效應
中的倍頻輸出與基頻輸入之功率比關係。
長晶之法,吾人=採用室溫蒸發法與固定溫差法,前者以長成質地透明之小晶體為主
,後者則試圖長成大型晶體。結果,小晶體質地極佳,大型晶體則因流速控制不易,
成長極緩且質地極差。利用小晶體測得之r63為11.0×10□□□m╱v與理
論公認值10.6×10□□□m╱v有4%誤差,而倍頻效應之倍頻與基頻功率比
,成 1.676次方關係,與理論之平方關係亦有些許誤差。
zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject磷酸二氫鉀單晶zh_TW
dc.subject非線性光學特性zh_TW
dc.subject特殊對稱型式zh_TW
dc.subject光電效應zh_TW
dc.subject倍頻現象zh_TW
dc.subject室溫蒸發法zh_TW
dc.subject固定溫差法zh_TW
dc.subject光電學zh_TW
dc.subject光學zh_TW
dc.subject雷射學zh_TW
dc.subject光電工程zh_TW
dc.subjectELECTRO-OPTICS-ENGINEERINGen_US
dc.subjectOPTICSen_US
dc.subjectLASERen_US
dc.subjectOPTI-ELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title磷酸二氫鉀單晶之非線性光學特性的探討zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
Appears in Collections:Thesis