Full metadata record
DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 陳炳雄 | en_US |
dc.contributor.author | Chen, Bing-Xiong | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | 楊宗哲 | en_US |
dc.contributor.author | 潘犀靈 | en_US |
dc.contributor.author | Xie, Zheng-Xiong | en_US |
dc.contributor.author | Yang, Zong-Zhe | en_US |
dc.contributor.author | Pan, Xi-Ling | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:33Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:33Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714123003 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51662 | - |
dc.description.abstract | 磷酸二氫鉀單晶之晶格屬四方晶系,由於晶格具有特硃對稱型式,而且光電效應及非 線性光學賴以衡量劣之係數矩陣中的係數亦甚大,故在光電效應及非線性光學方面的 應用甚為廣泛。利用光電效應可做成光調變器,高速開關和固2光閥。利用非線性光 學中的倍頻現象可做成雷射倍頻器。 本文有鑑於此,乃從成長單晶著手,先取得材料。繼則由電光效應實驗中,測試其係 數矩陣中的係數,以與理論公認值比較驗證之。並由非線性光學理論中驗證倍頻效應 中的倍頻輸出與基頻輸入之功率比關係。 長晶之法,吾人=採用室溫蒸發法與固定溫差法,前者以長成質地透明之小晶體為主 ,後者則試圖長成大型晶體。結果,小晶體質地極佳,大型晶體則因流速控制不易, 成長極緩且質地極差。利用小晶體測得之r63為11.0×10□□□m╱v與理 論公認值10.6×10□□□m╱v有4%誤差,而倍頻效應之倍頻與基頻功率比 ,成 1.676次方關係,與理論之平方關係亦有些許誤差。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 磷酸二氫鉀單晶 | zh_TW |
dc.subject | 非線性光學特性 | zh_TW |
dc.subject | 特殊對稱型式 | zh_TW |
dc.subject | 光電效應 | zh_TW |
dc.subject | 倍頻現象 | zh_TW |
dc.subject | 室溫蒸發法 | zh_TW |
dc.subject | 固定溫差法 | zh_TW |
dc.subject | 光電學 | zh_TW |
dc.subject | 光學 | zh_TW |
dc.subject | 雷射學 | zh_TW |
dc.subject | 光電工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRO-OPTICS-ENGINEERING | en_US |
dc.subject | OPTICS | en_US |
dc.subject | LASER | en_US |
dc.subject | OPTI-ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 磷酸二氫鉀單晶之非線性光學特性的探討 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |