完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author江榮吉en_US
dc.contributor.authorJiang, Rong-Jien_US
dc.contributor.author謝太炯en_US
dc.contributor.authorXie, Tai-Jiongen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:34Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:34Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714123009en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51670-
dc.description.abstract本文的主要目的有二: (一)研究連續波輸出的氬離子雷射的電漿參數(電子密度、電子溫度和縱向電場) 與外加縱向磁場的關係,本文以J.R.Forrest 和R.N.Franklin在一九六八年提出的在 磁場下的正電柱的理論為基礎,惟衍出電漿參數與外加縱向磁場的定量關係。計算結 果顯示出當磁場強度增加時,電子度與縱向電場皆減小了而電子密度卻增大了。 (二)探討採用熱陰極和氧化鈹放電管所產生的連續波輸出功率與外加縱向磁場的關 係。實驗結果顯示出在固定的放電電流和氣壓之下,輸出功率在某一磁場強度會出現 最大值,若再變氣壓時,最佳磁場強度以及最大輸出功率皆隨氣壓的增加而減小。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氬離子雷射zh_TW
dc.subject正電極zh_TW
dc.subject熱陰極zh_TW
dc.subject氧化鈹放電管zh_TW
dc.subject磁場強度zh_TW
dc.subject光電學zh_TW
dc.subject光學zh_TW
dc.subject雷射學zh_TW
dc.subject光電工程zh_TW
dc.subjectJ.R.-FORRESTen_US
dc.subjectR.N.-FRANKLINen_US
dc.subjectELECTRO-OPTICS-ENGINEERINGen_US
dc.subjectOPTICSen_US
dc.subjectLASERen_US
dc.subjectOPTI-ELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title在縱向磁場下氬離子雷射的正電柱zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文