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dc.contributor.author任建葳en_US
dc.contributor.authorRen, Jian-Weien_US
dc.contributor.author李崇仁en_US
dc.contributor.authorLi, Chong-Renen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:38Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428002en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51721-
dc.description.abstract本篇論文是對於逆偏壓下金絕半結構作四個主題的理論性探討。 第一主題是關於金絕半結構的乏層寬度分析。本文採用一個新提出的參數,ψ,可以 對金絕半乏層寬度作總台性的分析。此參數與半導體表面上少數載子的準費米電位有 關,吾人也可用此參數來,表示少數載子電荷在半導體表面累積的程度。因此,產生 反轉層的廣義性條件可以推導出來。在金絕半進入反轉態前,乏層寬度是隨表面電位 的平方根變化而增加。當由於外來載載子注入而使得金絕半進入反轉態時,乏層寬度 就正比於(2ψF+Va-ψ)的平方根。電壓Va增加會使得乏層寬度加寬,然而增加外 來載子的注入卻使得乏層寬度縮減。這一部份的分析結果也適用於肖特其元作與金氧 半元作,因為它們可視為金絕半結構的特例。 第主題是探討金絕半結構的電流乘增現象。多數載子和少數載子的電流表不式(仍以 參數,ψ表示)先推導出來。跨在絕緣夾層的電壓降是決定電流乘增的主要因素,而 此電壓降與參數ψ有關且可用數值方式計算出來。採用參數ψ,仗吾人對電流乘增現 象有較清楚的瞭解。同時,吾人發現:(一)對於絕緣層厚度小於50埃的金絕半而 這,在進人入反轉態以前的絕綠層上電壓降是非常而句忽略;而一旦反轉態產生,此 電壓降就增加得很快。(二)對於薄絕緣層的金絕半結構,其所造成反轉態所需之ψ 值是與所加電壓無關。(三)較厚的絕緣層有較大的電流乘增。(四)若金絕半結構 的電子障壁較小,則電流乘增較大。 第二主題是探討雙增益結構模型。此模型可以描述電流回餽S形負電阻元件特性,而 金絕半系列中有許多結構皆呈現此S形負電阻特性。此模型不僅可以解釋已有之負電 阻元件,且可預測一些新的S形負電阻元件。在模型中,吾人定義了反射增益結構與 穿透吸收結構。所謂結構是指在順、逆偏壓下的正負型接面或金絕半界面。一般S形 負電阻元件皆包含了兩個以上的這類型結構。將ψ此類型結構作適當的串聯組合,且 滿足環增益總乘值大或等於一的條件,則S形負電阻元件即造成。多狀態負電阻元件 也可用此模型來描述與預測。 第四主題是關於場放射隧道電流的討論,此部份電流在一般的金絕半結構討論中皆是 忽略不計的。吾人採用宜接積分,分別求得場放射隧道電流與熱放射隧道電流。當半 導體摻濃度高達10□□每立方里米,即使絕緣層厚度為40埃,在室溫下場放射電流 是不可忽略的。吾人也發現場放射與熱放放射電流的比值是隨所加偏壓而增加,尤其 是在高摻雜度的情況下格外明顯。在反轉態下的金絕半相當於有一高濃度而薄的一層 電荷在半導體表面上,所以場放射電流增加。此電流增加量可以用電子障壁降低值△ ψ表達。吾人提出一個外插模型,可以方便地估計電子障壁降低值。對於金屬一半導 體接面因具有淺且高摻雜的表面層所造成的電子障壁降低,本外插模型地可適用。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject逆偏壓zh_TW
dc.subject絕緣zh_TW
dc.subject絕緣層zh_TW
dc.subject半導體zh_TW
dc.subject金絕半zh_TW
dc.subject電流zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title逆偏壓下之金屬-絕緣層-半導體結構zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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