完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.author | 鍾英漢 | en_US |
dc.contributor.author | Zhong, Ying-Han | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:43Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:43Z | - |
dc.date.issued | 1982 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428030 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51752 | - |
dc.description.abstract | 本文利用低壓化學氣相堆積法研製複晶矽電阻器,以作為在互補式金氧半場效電晶體 多諧振盪器內的溫度敏感電阻,並組成溫度計。此溫度計能在攝氐二十五度到四十五 度之間準確地測量溫度。本文所研製的溫度計具有穩定、低電力、高敏感度、及將乎 線性等特性,其工作原理和實驗結果均在文中詳細地敘。 本文亦將複晶矽電阻器所組成之熱阻體的溫度效應關係式推導出來,並研製具有磷雜 質的複晶矽電阻器,以證明計算機模擬的結果。 本文亦把複晶矽的傳導模型做一個複習,同時亦針對計算機模擬所發現之空乏近似的 失效加以詳細討論。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 氣相堆積法 | zh_TW |
dc.subject | 複晶矽電阻器 | zh_TW |
dc.subject | 電阻器 | zh_TW |
dc.subject | 溫度器 | zh_TW |
dc.subject | 互補式金氧半場效 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 低壓化學氣相堆積 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 利用低壓化學氣相堆積法成長之複晶矽電阻器所組成的溫度計 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |