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dc.contributor.author鍾英漢en_US
dc.contributor.authorZhong, Ying-Hanen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:43Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:43Z-
dc.date.issued1982en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT714428030en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51752-
dc.description.abstract本文利用低壓化學氣相堆積法研製複晶矽電阻器,以作為在互補式金氧半場效電晶體 多諧振盪器內的溫度敏感電阻,並組成溫度計。此溫度計能在攝氐二十五度到四十五 度之間準確地測量溫度。本文所研製的溫度計具有穩定、低電力、高敏感度、及將乎 線性等特性,其工作原理和實驗結果均在文中詳細地敘。 本文亦將複晶矽電阻器所組成之熱阻體的溫度效應關係式推導出來,並研製具有磷雜 質的複晶矽電阻器,以證明計算機模擬的結果。 本文亦把複晶矽的傳導模型做一個複習,同時亦針對計算機模擬所發現之空乏近似的 失效加以詳細討論。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject氣相堆積法zh_TW
dc.subject複晶矽電阻器zh_TW
dc.subject電阻器zh_TW
dc.subject溫度器zh_TW
dc.subject互補式金氧半場效zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject低壓化學氣相堆積zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title利用低壓化學氣相堆積法成長之複晶矽電阻器所組成的溫度計zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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