Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | 呂鴻彬 | en_US |
dc.contributor.author | Lv, Hong-Bin | en_US |
dc.contributor.author | 吳慶源 | en_US |
dc.contributor.author | Wu, Qing-Yuan | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:49Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:49Z | - |
dc.date.issued | 1983 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT724430001 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51837 | - |
dc.description.abstract | 計算機模擬法廣泛地應用於積體電路的分析及設計,導致需要正確的電晶體模型及其 模型參數的萃取。傳統上以調應實驗曲線決定模型參數法,既費力且不適於新的電晶 體結構及製程技術,然而,以二度或三度空間分析電晶體,並不適於電路分析之用, 本文將描述一個解析模型的電晶體模擬器,用來迅速及經濟地分析雙極性電晶體,發 展完成的模擬程式可以接受雙極性電晶體之結構大小,摻雜分佈及材料參數作為輸入 ,從而根據這些製程資料直接計算出元件的特性。 文中利用一雙極性電晶體的解析模型來正確地預測元件特性,其中考慮了嚴重影響元 件特性的射極高摻雜效應及集極高電流效應。文中以雙擴散之雙極性電晶體作為模擬 例子,證明模擬結果與實驗值頗為吻合,此外,SPICE 上之雙極性電晶體模型參數之 萃取方法亦於之文中探討。因此,從製造規格至元件及電路應用的完整雙極性電晶體 模擬器已發展完成。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 計算機模擬法 | zh_TW |
dc.subject | 計算機 | zh_TW |
dc.subject | 模擬 | zh_TW |
dc.subject | 雙極性電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電晶體 | zh_TW |
dc.subject | 電路 | zh_TW |
dc.subject | 積體電路 | zh_TW |
dc.subject | 電子工程 | zh_TW |
dc.subject | CALCULATOR | en_US |
dc.subject | ELECTRONIC-ENGINEERING | en_US |
dc.title | 製程及結構導向的雙極性電晶體模擬模式以及在電路模擬上的應用 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
Appears in Collections: | Thesis |