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dc.contributor.author呂鴻彬en_US
dc.contributor.authorLv, Hong-Binen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWu, Qing-Yuanen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:49Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:49Z-
dc.date.issued1983en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT724430001en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51837-
dc.description.abstract計算機模擬法廣泛地應用於積體電路的分析及設計,導致需要正確的電晶體模型及其 模型參數的萃取。傳統上以調應實驗曲線決定模型參數法,既費力且不適於新的電晶 體結構及製程技術,然而,以二度或三度空間分析電晶體,並不適於電路分析之用, 本文將描述一個解析模型的電晶體模擬器,用來迅速及經濟地分析雙極性電晶體,發 展完成的模擬程式可以接受雙極性電晶體之結構大小,摻雜分佈及材料參數作為輸入 ,從而根據這些製程資料直接計算出元件的特性。 文中利用一雙極性電晶體的解析模型來正確地預測元件特性,其中考慮了嚴重影響元 件特性的射極高摻雜效應及集極高電流效應。文中以雙擴散之雙極性電晶體作為模擬 例子,證明模擬結果與實驗值頗為吻合,此外,SPICE 上之雙極性電晶體模型參數之 萃取方法亦於之文中探討。因此,從製造規格至元件及電路應用的完整雙極性電晶體 模擬器已發展完成。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject計算機模擬法zh_TW
dc.subject計算機zh_TW
dc.subject模擬zh_TW
dc.subject雙極性電晶體zh_TW
dc.subject電晶體zh_TW
dc.subject電路zh_TW
dc.subject積體電路zh_TW
dc.subject電子工程zh_TW
dc.subjectCALCULATORen_US
dc.subjectELECTRONIC-ENGINEERINGen_US
dc.title製程及結構導向的雙極性電晶體模擬模式以及在電路模擬上的應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
顯示於類別:畢業論文