完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 陳家湘 | en_US |
dc.contributor.author | CHEN, JIA-XIANG | en_US |
dc.contributor.author | 黃凱雄 | en_US |
dc.contributor.author | 謝正雄 | en_US |
dc.contributor.author | 楊聲震 | en_US |
dc.contributor.author | HUANG, KAI-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | XIE, ZHENG-XIONG | en_US |
dc.contributor.author | YANG, SHENG-ZHEN | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:02:55Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:02:55Z | - |
dc.date.issued | 1984 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732123001 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/51920 | - |
dc.description.abstract | 在本文中,將介紹國內新引進之光化學氣目沈積系統。這是一種利用紫外光進行光化 學反應,在低溫、低壓下運作的薄膜沈積系統。以此系統在不同沈積條件下成長的二 氧化矽膜試品,分別利用了Auger 能譜儀、電子顯微鏡、橢圓儀及紅外線光譜儀等, 做頻譜及光學性質的測試,分析薄膜的化學組成,以尋求長出理想薄膜的反應條件與 製程。並以銻化銦為基底,製成MIS結構。對其電性質做了I-V、C-V、C- t等測量。最後並將薄膜沈積速率實驗的數據,用異相表面反應理論進行描述,推論 其化學反應的動力與機構。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 光化學 | zh_TW |
dc.subject | 氣相沈積系統 | zh_TW |
dc.subject | 紫外光 | zh_TW |
dc.subject | 二氧化矽膜 | zh_TW |
dc.subject | 紅外線光譜儀 | zh_TW |
dc.subject | 頻譜 | zh_TW |
dc.subject | OPTICAL-CHEMISTRY | en_US |
dc.title | 光化學氣相沈積系統與其生長之二氧化矽膜特性 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 光電工程學系 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |