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dc.contributor.author陳金源en_US
dc.contributor.authorCHEN, JIN-YUANen_US
dc.contributor.author潘犀靈en_US
dc.contributor.author雷添福en_US
dc.contributor.authorPAN, XI-LINGen_US
dc.contributor.authorLEI, TIAN-FUen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:02:55Z-
dc.date.available2014-12-12T02:02:55Z-
dc.date.issued1984en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732123006en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/51926-
dc.description.abstract半導體雷射在光電領域上的潛力相當大,非但是光纖通訊及很多光電系統 的重要光 源之一,其製作程序更是發展積體光學的基礎。 此研究乃秉承本實驗室既有的AlxGa1-xAs 多層薄膜磊晶技術,探討半導體雷射 的製造程序,先後分別製作雙異質結構寬面雷射和氧化層限流條狀雙異結構雷射。 製成功的條狀結構雷射,其在脈衝方式操作下的起始電流是1.18安培,相當起始電流 密度為2.36×104 安培╱平方公分,發光功率為0.15厘瓦。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject半導體雷射zh_TW
dc.subject光纖zh_TW
dc.subject液態磊晶zh_TW
dc.subject條狀結構zh_TW
dc.subject雙異質結構zh_TW
dc.title利用液態磊晶二相溶液技術研製半導體雷射zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文