光化學氣相沈積法製備的銻化銦MOS 結構之估量

Abstract

用光化學氣相沈積法在銻化銦（１１１）面上生長氧化層，經Terman高頻法分析其半 能隙能態密度約為１０12㎝-12ev-1；電容－－電壓曲線的測量，配合溫壓應力試驗 及遲滯現象的研究，指出氧化層中的陷阱和易動電荷是造成ＭＯＳ元件不穩定的主要 因素。 經過退火處理的樣品，測量分析後發現能態度密度有明顯降低，陷阱和易動電荷的效 應亦減弱許多，證明退火處理對改善光人學氣相沈積法生長的氧化層有很大助益。 由電容暫態測量分析，證明少數載體主要產生自銻化銦內部空乏區，表面能態對產生 電荷的貢獻，可藉在銻化銦表面形成反相層予以減低；產生壽命期和其他氧化法測得 結果一致，因此銻化銦晶川在光化學氣相沈積法中，沒有受到明顯的損害。