薄氧化層的熱氮化于超大型積體電路中加強區域性氧化和薄閘層之應用

標題:	薄氧化層的熱氮化于超大型積體電路中加強區域性氧化和薄閘層之應用
作者:	余智林 YU, ZHI-LIN 吳慶源 WU, GING-YUAN 電子研究所
關鍵字:	氧化層;熱氮化;二氧化矽;積體電路;薄閘層
公開日期:	1984
摘要:	本文在研究以二氧化矽的熱氮化技術應用在超大型積骿電路中之區域性氧化隔離，使其鳥嘴長度降至0.2 微米以下且保有零缺陷；並以此技術仗用於製造互補式金氧、半導體元件之薄閘層，以改進傳統的熱二氧化矽薄閘層應用於超大型積體電路中的種種缺失
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430011 http://hdl.handle.net/11536/52061
Appears in Collections:	Thesis