以二氧化碳雷射處理複晶矽之再結晶

Abstract

以波長10.6μm 之二氧化碳雷射間接加熱摻雜磷或無摻雜磷之複晶矽膜，使之熔解後 再結晶。雷射加熱之試樣結構為 SiO2(APCVD 或熱成長者)╱ LPCVD 複晶矽╱熱成長 SiO2/Si 基板。受雷射加熱而融化之部分具有較大之晶粒且有較平滑之表面。此外 ，雷射導致基板產生晶格缺陷，吾人可藉墊在LPCVD 複晶矽與Si 基板間之SiO2 厚度 設計為1/4 波長來防止此缺陷之形成。