標題: 以二氧化碳雷射處理複晶矽之再結晶
作者: 黃明煌
HUANG, MING-HUANG
陳茂傑
CHEN, MAO-JIE
電子研究所
關鍵字: 二氧化碳;雷射;複晶矽;再結晶;磷
公開日期: 1984
摘要: 以波長10.6μm 之二氧化碳雷射間接加熱摻雜磷或無摻雜磷之複晶矽膜,使之熔解後 再結晶。雷射加熱之試樣結構為 SiO2(APCVD 或熱成長者)╱ LPCVD 複晶矽╱熱成長 SiO2/Si 基板。受雷射加熱而融化之部分具有較大之晶粒且有較平滑之表面。此外 ,雷射導致基板產生晶格缺陷,吾人可藉墊在LPCVD 複晶矽與Si 基板間之SiO2 厚度 設計為1/4 波長來防止此缺陷之形成。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT732430016
http://hdl.handle.net/11536/52066
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