矽晶量子化轉換層之聲子散射

Abstract

金一氧一半結構轉換層之高電場所產生電位勢，限制了載子在垂直表面方向之運動。 表面量子化效應造成了轉換層電能量之次能帶及準二度空間系統現象。本文以有效質 量近似法，探討(100) 平面N 一通道矽晶轉換層之電子波函數及次能階。並求得準二 度空間電子氣中谷間聲子散射之弛緩時間。聲子波向量之平行及垂直之表量皆在考慮 之內，並進而建立電子遷移之聲子選擇法則。我們計算在常溫下對於不同轉換層電子 密度之電子移動率。並對理論值與實驗數據做了比較。