砷化鋁鎵半導體雷射製程之研究

Abstract

本校液相磊晶實驗室已製成條狀雷射二極體，為了進一步改善雷射二極體的製作，本 文即針對一些製程加以研究。首先，吾建立一數值模型來分析改良式二相溶液法的磊 晶，結果發現，基於考慮流動機構、過飽和與擴散限制所建立的模型，與實驗數據有 一良好的吻合。 在P 型AlxGz1-x- As：Ge的特性方面，由Hall測試得知，載子濃度和電組係數與移動 率之間的相互關係。而由PL的分析可知，在X ∼０．４時，其能帶由L 轉至X 。而當 載子濃度高時，其主要的輻射來自傳帶與受體中心間的轉移。濃度低時，主要由帶間 的輻射所貢獻的。 此外，我們建立做好歐姆接觸的條件，以供爾後製作元件的參考。使用Au-Ge(12％ ) 作為n 型歐姆接觸的合金，於４００℃時得最佳的rc值。而使用Au-zn(1％)來作為P 型歐姆接觸的合金於５００℃時可得最佳的rc值，然而Pd╱Zn╱Pd的結構也將是一可 行的方法。