完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.author | 饒鴻麟 | en_US |
dc.contributor.author | RAO, HONG-LIN | en_US |
dc.contributor.author | 邱碧秀 | en_US |
dc.contributor.author | GIU, BI-XIU | en_US |
dc.date.accessioned | 2014-12-12T02:03:39Z | - |
dc.date.available | 2014-12-12T02:03:39Z | - |
dc.date.issued | 1985 | en_US |
dc.identifier.uri | http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT742430016 | en_US |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/52418 | - |
dc.description.abstract | 在積體電路中,矽化鎢經常被用作內部連線,如鎢含量較高時,則有相當嚴重的掀裂 及氧化問題。本報告即在探討多層結構矽化鎢之應用,以防止掀裂及氧化。 多層結構矽化鎢被證實能防止鎢的氧化,而分段退火則可避免掀裂,且能維持矽化鎢 的低電阻特性。 | zh_TW |
dc.language.iso | zh_TW | en_US |
dc.subject | 矽化鎢 | zh_TW |
dc.subject | 鎢 | zh_TW |
dc.subject | 積體電路 | zh_TW |
dc.title | 多層結構矽化鎢之特性 | zh_TW |
dc.type | Thesis | en_US |
dc.contributor.department | 電子研究所 | zh_TW |
顯示於類別: | 畢業論文 |