鈦化矽形成的製程技術及其矽化物蕭基二極體特性的研究

Abstract

在本文中我們提供鈦化矽的成長、計測分析及元件製作的經驗。第一部份的內容主要 分成二個主題：ぇ溫度及鈦層蒸鍍組成對鈦化矽電特性的影響，並藉電子掃描顯微鏡 觀察其表面特性；え發展一種自我校準的技術，其中包括使用鈦過量組成及加一鉬保 護層之技術，並且此較其特性。定義圖樣之橫向二氧化矽反應情形亦藉電子掃描顯微 鏡之微觀圖照片加以檢查。 本文的另一部份抬出薄層離子佈植調整蕭基二極體能障之分析，發展一個考慮介面特 性及不均勻摻雜質表面層的介面層理論，並與實驗結果相比較，其中包括接觸電阻、 能障減少量、篤沁能障增加元件的電流一電壓特性。矽化蕭基二極體的崩潰電壓也與 考慮崩潰效應及電場增強之穿透效應的理論作比較。另外，離子佈植劑量對其他特性 的影響，如理想係數、活化能及電流–電壓特性，亦加以測量與討論。