抗輻射加強模場效電晶體在SOS 上的製程與模擬

Abstract

我們已經在 SOS（藍寶石矽晶）晶片上製造出加強模場效電晶體。在製造過程中，全 部使用離子佈植的方法。我們增加了一個和前閘相連的後閘，主要目的在欲提高抗輻 射強度，並且減少通道的雜訊。 在抗輻射實驗，我們直接用１０︿7 雷得（矽）劑量的鈷六十輻射待測物。當基體不 加電壓的情況下，臨限電壓的位移對P型元件幾乎不變，對n型則低於０•０５伏特。 而傳導係數的變化，對P型而言是可忽略的，但對n型而言，則降低大約百分之三十。 使用高斯分佈的一維模擬中，我們己經得到加強型元件的製造條件。對P 型元件，閘 區被佈植磷，理論值和實驗結果的差異低於０•１４伏特；然而對閘區破佈植硼的 n 型元件，由於硼的通道效應，導致較大的誤差。