標題: 抗幅射加強模場效電晶體的模擬
Simulation of radiation harden enhancement mode JFET
作者: 鄭鴻儒
Zheng, Hong-Ru
謝正雄
Xie, Zheng-Xiong
光電工程學系
關鍵字: 輻射加強模場效;電晶體;藍寶石上矽晶;離子佈植;低功率損耗;解析法;二維數值法;光電學;光學;雷射學;光電工程;ANTI-RADIATION;SOS;LOW-DYNAMOMETERS-LOSS;ANALYSIS;TWO-DIMENSION-VALUE-METHOD;ELECTRO-OPTICS-ENGINEERING;OPTICS;LASER;OPTI-ELECTRONIC-ENGINEERING
公開日期: 1986
摘要: 我們已經在 SOS(藍寶石上矽晶)晶片上製造出加強模場效電晶體。其製程完全使用 離子佈植,而其特點為超抗輻射及低功率損耗。 兩種方法使用於分析此電晶體。第一種為解析法,其結果可定性解釋起始電壓對於離 子佈植量的關係。第二種為三維數值法,其可正確模擬元件特性及在不同輻射狀態下 的反應。 模擬與實驗結果在低閘電壓時非常相近,而模擬結果更顯不抗輻射能力與後閘寬度在 正比關係。另一方面,模擬也顯示出擴散製程對N 一通道電晶體而言可得較好的傳導 系數,因其避免了硼的通道效應。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT754123004
http://hdl.handle.net/11536/53153
顯示於類別:畢業論文