抗幅射加強模場效電晶體的模擬

Abstract

我們已經在 SOS（藍寶石上矽晶）晶片上製造出加強模場效電晶體。其製程完全使用 離子佈植，而其特點為超抗輻射及低功率損耗。 兩種方法使用於分析此電晶體。第一種為解析法，其結果可定性解釋起始電壓對於離 子佈植量的關係。第二種為三維數值法，其可正確模擬元件特性及在不同輻射狀態下 的反應。 模擬與實驗結果在低閘電壓時非常相近，而模擬結果更顯不抗輻射能力與後閘寬度在 正比關係。另一方面，模擬也顯示出擴散製程對N 一通道電晶體而言可得較好的傳導 系數，因其避免了硼的通道效應。