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dc.contributor.author陳秋峰en_US
dc.contributor.authorCHEN, GIU-FENGen_US
dc.contributor.author吳慶源en_US
dc.contributor.authorWU, GING-YUANen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:04:23Z-
dc.date.available2014-12-12T02:04:23Z-
dc.date.issued1986en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430004en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/52901-
dc.description.abstract為了探討在單晶矽晶片上生長薄氧化矽膜,我們提出一修正的理論模式,以深入分析 薄氧化矽膜在斜坡電壓加壓與固定電流激發下所呈現的特性。此一模式包括下述重要 效應,動態陷阱(即捕捉與釋放電子)效應,撞擊游離引發的正電荷產生效應,以及 由弱點所引發的局部發射效應。利用此模式,可從薄氧化矽膜的斜坡電壓加壓下電流 -電壓測,量數據與固定電流激發下電壓-時間測量數據中獲取重要的物理參數,如 整體陷阱密度,陷阱捕捉截面積,陷阱產生速率,復合捕捉截面積,與介電崩潰電壓 。此外,基於弱點區域可聚集撞擊游離產生之正電荷的假設,此一模式亦可正確的預 測氧化矽膜在固定電流激發下與時間相關的介電崩潰。 此一模式經電腦模擬與分析後指出,若薄氧化矽膜的陷阱效應愈嚴重,則其在斜坡電 壓加壓下的漏電愈小且崩潰電壓愈大,但在固定電流激發下活期愈短。此外,若陷阱 的平均位置愈靠近陽極,正電荷的復合捕捉截面積愈小,或弱點區占有較大的面積, 則薄氧化矽的活期愈長。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject單晶矽zh_TW
dc.subject氧化矽模zh_TW
dc.subject電流zh_TW
dc.subject介電崩潰zh_TW
dc.subjectFLOTOX-EEPROMen_US
dc.title在單╱複晶矽上熱成長之氧化矽膜的模擬與分析及其在FLOTOX EEFROM 元件設計上的應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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