使用矽化鈦接觸系統從事垂直卡爾文測試電阻結構之研究

Abstract

在本論文中，我們的研究分兩大主題。亦即，在垂直卡爾文測試電阻結構中之展阻誤 差的研究和二矽化汯之接觸電阻的測量。在第一個主題中，我們發展一個可用簡單公 式來說明在垂直卡爾文測試結構中之展阻誤差的解析模式，即就是傳導區的片電阻乘 以接面深度的平方除以一個常數，而這個常數大約等於２。本質上，它小於存在於水 平測試結構中之展阻誤差。在第二個主題中，我們測量到鋁加百分之一的矽／矽／鈦 加矽／鈦／矽基座的接觸系統有１２０歐姆／平方單倒的片電阻及3.971 * 10 □□ 歐姆－平方公分的接觸電阻係數，從我們所測量的結果中可看出：從垂直測量結構中 所得到的接觸電阻比從傳統的水平結構中所測量到的更接近真正的接觸電阻值。