鈦酸鋇電容性的研究

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DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	林信達	en_US
dc.contributor.author	LIN, XIN-DA	en_US
dc.contributor.author	邱碧秀	en_US
dc.contributor.author	GIU, BI-XIU	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-12T02:04:27Z	-
dc.date.available	2014-12-12T02:04:27Z	-
dc.date.issued	1986	en_US
dc.identifier.uri	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT752430051	en_US
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/52953	-
dc.description.abstract	這篇論文主要在探討鈦酸鋇為材料的電容之電性。一個新的模型被用來解釋電容之阻抗的頻率響應，且計算出模擬元件：Ｒｇb（晶界電阻），Ｃｇb（晶界電容），Ｃｇ（晶粒電容），Ｒｇ□（晶粒平行電阻），Ｒｇ□（晶粒串聯電阻）。此模型可簡便且有效地評估不同成份及燒結狀況下的電容特性。	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.subject	鈦酸鋇	zh_TW
dc.subject	電容性	zh_TW
dc.subject	頻率響應	zh_TW
dc.subject	模擬元件	zh_TW
dc.subject	燒結狀況	zh_TW
dc.title	鈦酸鋇電容性的研究	zh_TW
dc.type	Thesis	en_US
dc.contributor.department	電子研究所	zh_TW
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